1N5230B Tech -Spezifikationen
SMC Diode Solutions - 1N5230B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie SMC Diode Solutions - 1N5230B
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 4.7 V | |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 mA | |
| Toleranz | ±5% | |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-35 | |
| Serie | - | |
| Leistung - max | 500 mW |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| Paket | Tape & Box (TB) | |
| Betriebstemperatur | 200°C | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 19 Ohms | |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1.9 V |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie SMC Diode Solutions 1N5230B.
| Produkteigenschaften |  |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | 1N5230B | 1N5230BTR | 1N5231B | 1N5230 |
| Hersteller | SMC Diode Solutions | Fairchild Semiconductor | SMC Diode Solutions | Microchip Technology |
| Paket | Tape & Box (TB) | Bulk | Tape & Box (TB) | Bulk |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 4.7 V | 4.7 V | 5.1 V | 4.7 V |
| Betriebstemperatur | 200°C | -65°C ~ 200°C | 200°C | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1.9 V | 2 µA @ 1 V | 5 µA @ 1.9 V | 50 µA @ 1.9 V |
| Leistung - max | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
| Serie | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Toleranz | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 19 Ohms | 19 Ohms | 17 Ohms | 19 Ohms |
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1N5230BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5231BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 5.1V 500MW DO351N5230Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5231BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5231BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 5.1V 500MW
1N5229B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.3V 500MW DO351N5229BTRFairchild SemiconductorZENER DIODE, 4.3V, 5%, 0.5W, UNI
1N5229B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
1N5230BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5230BTRonsemiDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5230SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 4.7V 500MW DO351N5230B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
1N5230CAMI Semiconductor/onsemi1N5230BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 4.7V, 5%, 0.5W, UNI1N5230BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 4.7V 500MW1N5230BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5229BTRonsemiDIODE ZENER 4.3V 500MW DO351N5230BonsemiDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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