GBU806 Tech -Spezifikationen
SMC Diode Solutions - GBU806 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie SMC Diode Solutions - GBU806
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 600 V | |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A | |
| Technologie | Standard | |
| Supplier Device-Gehäuse | GBU | |
| Serie | - | |
| Verpackung / Gehäuse | 4-ESIP |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Paket | Tube | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Diodentyp | Single Phase | |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| Strom - Richt (Io) | 8 A | |
| Grundproduktnummer | GBU806 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie SMC Diode Solutions GBU806.
| Produkteigenschaften |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | GBU806 | GBU806 | GBU806 | GBU810 |
| Hersteller | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Paket | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 4-ESIP | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-ESIP |
| Strom - Richt (Io) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Supplier Device-Gehäuse | GBU | GBU | GBU | GBU |
| Diodentyp | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| Grundproduktnummer | GBU806 | GBU806 | GBU806 | GBU810 |
| Technologie | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1.1 V @ 8 A |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| Serie | - | - | - | - |
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 600 V | 600 V | 800 V | 1 kV |
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GBU806Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUGBU806Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU810SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUGBU804Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
GBU802Taiwan Semiconductor CorporationDIODE BRIDGE 8A 100V GBUGBU802SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBUGBU808Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU804Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
GBU806-TULITEONGBU807Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUGBU808SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU802Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU
GBU806HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBU804SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
GBU8052Freescale / NXP SemiconductorsGBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A GBU
GBU805 C2Taiwan SemiconductorGBU808Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 8A GBU| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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