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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-zenerdioden-EinzelBZD27C12P
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BZD27C12P - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
BZD27C12P
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-BZD27C12P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-219AB
Datenblatt
BZD27C10P - BZD27C220P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 172930

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Spezifikation

BZD27C12P Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C12P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C12P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 12.05 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA  
Toleranz ±5%  
Supplier Device-Gehäuse Sub SMA  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-219AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Impedanz (Max) (Zzt) 7 Ohms  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 µA @ 9.1 V  
Grundproduktnummer BZD27  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12P.

Produkteigenschaften BZD27C12P BZD27C12P-E3-08 BZD27C13P BZD27C120P-E3-08
Artikelnummer BZD27C12P BZD27C12P-E3-08 BZD27C13P BZD27C120P-E3-08
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Grundproduktnummer BZD27 BZD27 BZD27 BZD27C120
Toleranz ±5% - ±6.42% -
Impedanz (Max) (Zzt) 7 Ohms 7 Ohms 10 Ohms 250 Ohms
Verpackung / Gehäuse DO-219AB DO-219AB SOD-123 DO-219AB
Serie - BZD27C - BZD27C
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 µA @ 9.1 V 3 µA @ 9.1 V 2 µA @ 10 V 1 µA @ 91 V
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 12.05 V 12 V 13.25 V 120 V
Supplier Device-Gehäuse Sub SMA DO-219AB (SMF) Sub SMA DO-219AB (SMF)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C
Leistung - max 1 W 800 mW 1 W 800 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BZD27C12P Datenblatt PDF

Laden Sie BZD27C12P PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für BZD27C12P - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
BZD27C10P - BZD27C220P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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