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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelES1JL R3G
ES1JL R3G Image
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ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor)

Hersteller Artikelnummer
ES1JL R3G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-ES1JL R3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-219AB
Datenblatt
ES1AL - ES1JL.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 442500

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Spezifikation

ES1JL R3G Tech -Spezifikationen
TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V  
Supplier Device-Gehäuse Sub SMA  
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35ns  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse DO-219AB  
Andere Namen ES1JL R3GTR
ES1JL R3GTR-ND
ES1JLR3GTR
 
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 21 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Diodentyp Standard  
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 600V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G.

Produkteigenschaften ES1JL R3G ES1JFL ES1J-TP ES1JFL
Artikelnummer ES1JL R3G ES1JFL ES1J-TP ES1JFL
Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor) onsemi Micro Commercial Co Taiwan Semiconductor Corporation
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 21 Weeks - - -
Verpackung / Gehäuse DO-219AB SOD-123F DO-214AC, SMA SOD-123F
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A 1.7 V @ 1 A 1.35 V @ 1 A 1.7 V @ 1 A
Strom - Richt (Io) 1A 1A 1A 1A
Serie - - - -
Diodentyp Standard - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA - - -
Kapazität @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 7pF @ 4V, 1MHz 45pF @ 4V, 1MHz 8pF @ 4V, 1MHz
Supplier Device-Gehäuse Sub SMA SOD-123F DO-214AC (HSMA) SOD-123F
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V 600 V 600 V 600 V
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Andere Namen ES1JL R3GTR
ES1JL R3GTR-ND
ES1JLR3GTR
- - -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35ns 35 ns 75 ns 35 ns
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 600V 500 nA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V

ES1JL R3G Datenblatt PDF

Laden Sie ES1JL R3G PDF -Datenblätter und TSC (Taiwan Semiconductor) -Dokumentation für ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor) herunter.

Datenblätte
ES1AL - ES1JL.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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ES1JL R3G

TSC (Taiwan Semiconductor)
32D-ES1JL R3G

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