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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT2222A
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MMBT2222A - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
MMBT2222A
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT2222A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SOT-23, 75V, 0.6A, NPN BIPOLAR T
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT2222A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1933900

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Spezifikation

MMBT2222A Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - MMBT2222A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - MMBT2222A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer MMBT2222  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A.

Produkteigenschaften MMBT2222A MMBT2131T1G MMBT2222A MMBT2222A
Artikelnummer MMBT2222A MMBT2131T1G MMBT2222A MMBT2222A
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation onsemi onsemi NTE Electronics, Inc
Frequenz - Übergang 300MHz - 300MHz 300MHz
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-74, SOT-457 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leistung - max 300 mW 342 mW 350 mW 350 mW
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SC-74 SOT-23-3 SOT-23-3
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 400mV @ 70mA, 700mA 1V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ NPN PNP NPN NPN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V 150 @ 100mA, 3V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 30 V 40 V 40 V
Grundproduktnummer MMBT2222 MMBT2131 MMBT2222 MMBT2222
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO) 1µA (ICBO) 10nA (ICBO) 10nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 700 mA 1 A 600 mA

MMBT2222A Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT2222A PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für MMBT2222A - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
MMBT2222A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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