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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelTSB772CK C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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TSB772CK C0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSB772CK C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSB772CK C0G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 3A TO126
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
TSB772CK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 245160

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Anzahl

Spezifikation

TSB772CK C0G Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSB772CK C0G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSB772CK C0G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-126  
Serie -  
Leistung - max 10 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 80MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer TSB772  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSB772CK C0G.

Produkteigenschaften TSB772CK C0G TSB81BA3IPFP TSB62-470M TSB81BA3EIZAJ
Artikelnummer TSB772CK C0G TSB81BA3IPFP TSB62-470M TSB81BA3EIZAJ
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments DD Texas Instruments
Paket Tube Tray - Tray
Leistung - max 10 W - - -
Frequenz - Übergang 80MHz - - -
Grundproduktnummer TSB772 TSB81 - TSB81BA3
Supplier Device-Gehäuse TO-126 80-HTQFP (12x12) - 168-NFBGA (7x7)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V - - -
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 80-TQFP Exposed Pad - 168-TFBGA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C - -40°C ~ 85°C
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount - Surface Mount
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A - - -
Transistor-Typ PNP - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA - - -

TSB772CK C0G Datenblatt PDF

Laden Sie TSB772CK C0G PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSB772CK C0G - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSB772CK.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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TSB772CK C0G

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