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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelTSC5302DCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSC5302DCHC5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSC5302DCHC5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSC5302DCHC5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 2A TO251
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
TSC5302D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5300

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Anzahl

Spezifikation

TSC5302DCHC5G Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSC5302DCHC5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSC5302DCHC5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Leistung - max 25 W  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 400mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer TSC5302  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSC5302DCHC5G.

Produkteigenschaften TSC5302DCHC5G TSC5802DCHC5G TSC5804DCHC5G TSC427EBA
Artikelnummer TSC5302DCHC5G TSC5802DCHC5G TSC5804DCHC5G TSC427EBA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 450 V 450 V -
Paket Tube Tube Tube -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Frequenz - Übergang - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2.5 A 5 A -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 250µA 250µA -
Grundproduktnummer TSC5302 TSC5802 TSC5804 -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 400mA, 5V 50 @ 100mA, 5V 25 @ 200mA, 3V -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 1A 3V @ 600mA, 2A 2V @ 1A, 3.5A -
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
Leistung - max 25 W 30 W 45 W -

TSC5302DCHC5G Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSC5302D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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