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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM038N04LCP
Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM038N04LCP - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM038N04LCP
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM038N04LCP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
40V, 135A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TSM038N04LCP.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 29390

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Spezifikation

TSM038N04LCP Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM038N04LCP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM038N04LCP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5509 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 135A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM038  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N04LCP.

Produkteigenschaften TSM038N04LCP TSM055N03EPQ56 TSM05N03CW RPG TSM042N03CS
Artikelnummer TSM038N04LCP TSM055N03EPQ56 TSM05N03CW RPG TSM042N03CS
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 135A (Tc) 80A (Tc) 5A (Ta) 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 4.2mOhm @ 12A, 10V
Grundproduktnummer TSM038 TSM055 TSM05 TSM042
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5509 pF @ 20 V 1210 pF @ 25 V 555 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) 8-PDFN (5x5.8) SOT-223 8-SOP
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 125W (Tc) 74W (Tc) 3W (Ta) 7W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V 11.1 nC @ 4.5 V 7 nC @ 5 V 24 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)

TSM038N04LCP Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM038N04LCP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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