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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM1N45CW RPG
TSM1N45CW RPG Image
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TSM1N45CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM1N45CW RPG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM1N45CW RPG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
TSM1N45.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3620

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Spezifikation

TSM1N45CW RPG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N45CW RPG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N45CW RPG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 4.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45CW RPG.

Produkteigenschaften TSM1N45CW RPG TSM1NB60CW TSM1N80CW RPG TSM1NB60CW RPG
Artikelnummer TSM1N45CW RPG TSM1NB60CW TSM1N80CW RPG TSM1NB60CW RPG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2W (Tc) 2.1W (Tc) 2.1W (Tc) 39W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V 600 V 800 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 138 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 138 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 21.6Ohm @ 150mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4.25V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Tc) 1A (Tc) 300mA (Ta) 1A (Tc)

TSM1N45CW RPG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM1N45CW RPG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM1N45CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 3/Aug/2018.pdf
Datenblätter
TSM1N45.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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32D-TSM1N45CW RPG

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