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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM210N02CX
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM210N02CX - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM210N02CX
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM210N02CX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM210N02CX.pdf
RoHS Status
vorrätig: 115400

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Spezifikation

TSM210N02CX Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N02CX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N02CX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM210  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX.

Produkteigenschaften TSM210N02CX TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG TSM1NB60CW RPG
Artikelnummer TSM210N02CX TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG TSM1NB60CW RPG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±10V ±8V ±10V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 10 V 415 pF @ 6 V 600 pF @ 10 V 138 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA 950mV @ 250µA 800mV @ 250µA 4.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 10 V
Grundproduktnummer TSM210 - TSM210 TSM1NB60
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 4A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V 10Ohm @ 500mA, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A (Tc) 2.8A (Tc) 6.7A (Tc) 1A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1.56W (Tc) 900mW (Ta) 1.56W (Tc) 39W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

TSM210N02CX Datenblatt PDF

Laden Sie TSM210N02CX PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM210N02CX - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM210N02CX.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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