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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2306CX RFG
TSM2306CX RFG Image
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TSM2306CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2306CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2306CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2306.pdf
RoHS Status
vorrätig: 188930

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Spezifikation

TSM2306CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM2306  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
Artikelnummer TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V 511 pF @ 15 V 565 pF @ 10 V 1680 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 30 V 60 V
Grundproduktnummer TSM2306 TSM2308 TSM2303 TSM230
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 700mW (Ta) 53W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 3A (Ta) 1.3A (Ta) 50A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V 180mOhm @ 1.3A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 TO-252, (D-Pak)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

TSM2306CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2306CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2306CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM2306.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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