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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2311CX RFG
TSM2311CX RFG Image
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TSM2311CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2311CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2311CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2311CX RFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4470

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Anzahl

Spezifikation

TSM2311CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2311CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2311CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2311CX RFG TSM2307CX RFG TSM2308CX RFG TSM2312CX RFG
Artikelnummer TSM2311CX RFG TSM2307CX RFG TSM2308CX RFG TSM2312CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V 95mOhm @ 3A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 4.3 nC @ 4.5 V 11.2 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 60 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 3A (Tc) 3A (Ta) 4.9A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 6 V 565 pF @ 30 V 511 pF @ 15 V 500 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 750mW (Ta)

TSM2311CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2311CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2311CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 14/Jul/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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