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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM260P02CX RFG
TSM260P02CX RFG Image
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TSM260P02CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM260P02CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM260P02CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
TSM260P02CX RFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55010

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Spezifikation

TSM260P02CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM260P02CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM260P02CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Tc)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Standard  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX RFG.

Produkteigenschaften TSM260P02CX RFG TSM240N03CX RFG TSM250N02CX RFG TSM240N03CX
Artikelnummer TSM260P02CX RFG TSM240N03CX RFG TSM250N02CX RFG TSM240N03CX
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 800mV @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc) 6.5A (Tc) 5.8A (Tc) 6.5A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V 7.7 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Standard - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 15 V 345 pF @ 25 V 535 pF @ 10 V 345 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V 24mOhm @ 6A, 10V 25mOhm @ 4A, 4.5V 24mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V

TSM260P02CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM260P02CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM260P02CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM260P02CX RFG.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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