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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2NB60CP
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM2NB60CP - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2NB60CP
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2NB60CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TSM2NB60CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40830

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Anzahl

Spezifikation

TSM2NB60CP Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2NB60CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2NB60CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 44W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 249 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CP.

Produkteigenschaften TSM2NB60CP TSM320N03CX RFG TSM2NB60CH TSM2N7002KCX
Artikelnummer TSM2NB60CP TSM320N03CX RFG TSM2NB60CH TSM2N7002KCX
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V 8.9 nC @ 4.5 V 9.4 nC @ 10 V 0.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V 32mOhm @ 4A, 4.5V 4.4Ohm @ 1A, 10V 2Ohm @ 300mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verlustleistung (max) 44W (Tc) 1.8W (Tc) 44W (Tc) 300mW (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 30 V 600 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer TSM2 TSM320 TSM2 TSM2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 249 pF @ 25 V 792 pF @ 15 V 249 pF @ 25 V 30 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±12V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 5.5A (Tc) 2A (Tc) 300mA (Ta)
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) SOT-23 TO-251 (IPAK) SOT-23

TSM2NB60CP Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2NB60CP PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2NB60CP - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM2NB60CP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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