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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM3443CX6 RFG
TSM3443CX6 RFG Image
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TSM3443CX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM3443CX6 RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM3443CX6 RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
TSM3443.pdf
RoHS Status
vorrätig: 78700

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Spezifikation

TSM3443CX6 RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3443CX6 RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3443CX6 RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM3443  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 RFG.

Produkteigenschaften TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 TSM3446CX6 TSM3443CX6
Artikelnummer TSM3443CX6 RFG TSM3457CX6 TSM3446CX6 TSM3443CX6
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V 551.57 pF @ 15 V 700 pF @ 10 V 640 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V 60mOhm @ 5A, 10V 33mOhm @ 5.3A, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 SOT-26 SOT-26 SOT-26
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Ta) 5A (Ta) 5.3A (Tc) 4.7A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Grundproduktnummer TSM3443 TSM3457 TSM3446 TSM3443
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 9.52 nC @ 10 V 12.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

TSM3443CX6 RFG Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM3443.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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