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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM4NB60CP
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM4NB60CP - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM4NB60CP
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM4NB60CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TSM4NB60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38960

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Anzahl

Spezifikation

TSM4NB60CP Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB60CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB60CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CP.

Produkteigenschaften TSM4NB60CP TSM4NB65CH TSM4NC50CP TSM4NB60CI
Artikelnummer TSM4NB60CP TSM4NB65CH TSM4NC50CP TSM4NB60CI
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-251 (IPAK) TO-252, (D-Pak) ITO-220
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 500 V 600 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 83W (Tc) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V 3.37Ohm @ 2A, 10V 2.7Ohm @ 1.7A, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V 13.46 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 549 pF @ 25 V 453 pF @ 50 V 500 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer TSM4 TSM4 TSM4 TSM4
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole

TSM4NB60CP Datenblatt PDF

Laden Sie TSM4NB60CP PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM4NB60CP - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM4NB60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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