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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTSM500P02DCQ
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM500P02DCQ - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM500P02DCQ
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM500P02DCQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
-20V, -4.7A, DUAL P-CHANNEL POWE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
TSM500P02D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101020

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Anzahl

Spezifikation

TSM500P02DCQ Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TDFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V  
Leistung - max 620mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Standard  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc)  
Konfiguration 2 P-Channel  
Grundproduktnummer TSM500  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ.

Produkteigenschaften TSM500P02DCQ TSM500P02DCQ RFG TSM500N03CP ROG TSM53YJ502KR
Artikelnummer TSM500P02DCQ TSM500P02DCQ RFG TSM500N03CP ROG TSM53YJ502KR
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Electro-Films (EFI) / Vishay
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc) 4.7A (Tc) 12.5A (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 8A, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA 800mV @ 250µA 3V @ 250µA -
Supplier Device-Gehäuse 6-TDFN (2x2) 6-TDFN (2x2) TO-252, (D-Pak) -
Grundproduktnummer TSM500 TSM500 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V 7 nC @ 4.5 V -
Konfiguration 2 P-Channel 2 P-Channel (Dual) - -
Leistung - max 620mW (Tc) 620mW - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
FET-Merkmal Standard - - -
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 10V 1230pF @ 10V 270 pF @ 25 V -
Serie - - - -

TSM500P02DCQ Datenblatt PDF

Laden Sie TSM500P02DCQ PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM500P02DCQ - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM500P02D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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