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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM60N600CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM60N600CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM60N600CH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM60N600CH C5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
TSM60N600.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57510

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Spezifikation

TSM60N600CH C5G Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60N600CH C5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60N600CH C5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 743 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CH C5G.

Produkteigenschaften TSM60N600CH C5G TSM60NB600CF TSM650N15CR RLG TSM60NB1R4CP
Artikelnummer TSM60N600CH C5G TSM60NB600CF TSM650N15CR RLG TSM60NB1R4CP
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 24A (Tc) 3A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) ITO-220S 8-PDFN (5x6) TO-252, (D-Pak)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 7.12 nC @ 10 V
Grundproduktnummer TSM60 TSM60 TSM650 TSM60
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 41.7W (Tc) 96W (Tc) 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 1.4Ohm @ 900mA, 10V
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 743 pF @ 100 V 528 pF @ 100 V 1829 pF @ 75 V 257.3 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 Full Pack 8-PowerTDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 150 V 600 V

TSM60N600CH C5G Datenblatt PDF

Laden Sie TSM60N600CH C5G PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM60N600CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM60N600.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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