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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM680P06CP ROG
TSM680P06CP ROG Image
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TSM680P06CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM680P06CP ROG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM680P06CP ROG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TSM680P06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54500

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Spezifikation

TSM680P06CP ROG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM680P06CP ROG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM680P06CP ROG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM680  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CP ROG.

Produkteigenschaften TSM680P06CP ROG TSM650P03CX TSM650P02CX RFG TSM650N15CR RLG
Artikelnummer TSM680P06CP ROG TSM650P03CX TSM650P02CX RFG TSM650N15CR RLG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±20V ±12V ±10V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 65mOhm @ 3A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc) 96W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 1.8V, 4.5V 6V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 4.1A (Tc) 4.1A (Tc) 24A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer TSM680 TSM650 TSM650 TSM650
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 30 V 810 pF @ 15 V 515 pF @ 10 V 1829 pF @ 75 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) SOT-23 SOT-23 8-PDFN (5x6)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V 8 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 900mV @ 250µA 800mV @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 20 V 150 V
Serie - - - -

TSM680P06CP ROG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM680P06CP ROG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM680P06CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM680P06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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