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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM70N380CH
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM70N380CH - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM70N380CH
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM70N380CH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
700V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
TSM70N380.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12427

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Spezifikation

TSM70N380CH Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM70N380CH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM70N380CH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 981 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CH.

Produkteigenschaften TSM70N380CH TSM70NB1R4CP TSM70N600CH TSM70N900CH
Artikelnummer TSM70N380CH TSM70NB1R4CP TSM70N600CH TSM70N900CH
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Grundproduktnummer TSM70 TSM70 TSM70 TSM70
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-252, (D-Pak) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.3A, 10V 1.4Ohm @ 1.2A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 900mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 28W (Tc) 83W (Tc) 50W (Tc)
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 700 V 700 V 700 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 3A (Tc) 8A (Tc) 4.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 981 pF @ 100 V 317 pF @ 100 V 743 pF @ 100 V 482 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.8 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -

TSM70N380CH Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM70N380.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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