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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SC5200-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC5200-O(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
2SC5200-O(Q)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-2SC5200-O(Q)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 230V 15A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3PL
Datenblatt
2SC5200-O(Q).pdf
RoHS Status
vorrätig: 23575

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Anzahl

Spezifikation

2SC5200-O(Q) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5200-O(Q) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5200-O(Q)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 230 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(L)  
Serie -  
Leistung - max 150 W  
Verpackung / Gehäuse TO-3PL  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 30MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 1A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 15 A  
Grundproduktnummer 2SC5200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(Q).

Produkteigenschaften 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200RTU
Artikelnummer 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200RTU
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage onsemi Toshiba Semiconductor and Storage onsemi
Grundproduktnummer 2SC5200 2SC5200 2SC5200 -
Frequenz - Übergang 30MHz 30MHz 30MHz 30MHz
Verpackung / Gehäuse TO-3PL TO-264-3, TO-264AA TO-3P-3, SC-65-3 TO-264-3, TO-264AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 150 W 150 W 150 W 150 W
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 1A, 5V 80 @ 1A, 5V 80 @ 1A, 5V 55 @ 7A, 5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 230 V 250 V 230 V 250 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 15 A 17 A 15 A 17 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO) 5µA (ICBO)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A 3V @ 800mA, 8A
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(L) TO-264-3 TO-3P(N) TO-264-3

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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