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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SC5712(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC5712(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
2SC5712(TE12L,F)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-2SC5712(TE12L,F)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SC5712(TE12L,F).pdf
RoHS Status
vorrätig: 209160

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Anzahl

Spezifikation

2SC5712(TE12L,F) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5712(TE12L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - 2SC5712(TE12L,F)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 140mV @ 20mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse PW-MINI  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 300mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2SC5712  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712(TE12L,F).

Produkteigenschaften 2SC5712(TE12L,F) 2SC5707-TL-E 2SC5729T106R 2SC5716
Artikelnummer 2SC5712(TE12L,F) 2SC5707-TL-E 2SC5729T106R 2SC5716
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage onsemi Rohm Semiconductor TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 140mV @ 20mA, 1A 240mV @ 175mA, 3.5A 300mV @ 10mA, 100mA -
Supplier Device-Gehäuse PW-MINI TP-FA UMT3 -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-70, SOT-323 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) -
Leistung - max 1 W 1 W 200 mW -
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 300mA, 2V 200 @ 500mA, 2V 180 @ 50mA, 2V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 30 V -
Grundproduktnummer 2SC5712 2SC5707 2SC5729 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - - - -
Frequenz - Übergang - 330MHz 300MHz -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 8 A 500 mA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2SC5712(TE12L,F)

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