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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD2257(CANO,A,Q)
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2SD2257(CANO,A,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
2SD2257(CANO,A,Q)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-2SD2257(CANO,A,Q)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
2SD2257.pdf
vorrätig: 3870

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Spezifikation

2SD2257(CANO,A,Q) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - 2SD2257(CANO,A,Q) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - 2SD2257(CANO,A,Q)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-220NIS  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 2000 @ 2A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2SD2257  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(CANO,A,Q).

Produkteigenschaften 2SD2257(CANO,A,Q) 2SD2261-TD-E 2SD2318 TL V 2SD2261
Artikelnummer 2SD2257(CANO,A,Q) 2SD2261-TD-E 2SD2318 TL V 2SD2261
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage onsemi LAPIS Technology AMI Semiconductor/onsemi
Frequenz - Übergang - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Paket Bulk Bulk - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220NIS - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) - - -
Grundproduktnummer 2SD2257 - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 2000 @ 2A, 2V - - -
Transistor-Typ NPN - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A - - -
Serie - * - -
Leistung - max 2 W - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V - - -

2SD2257(CANO,A,Q) Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD2257(CANO,A,Q) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für 2SD2257(CANO,A,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

Datenblätter
2SD2257.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device EOL 30/Nov/2016.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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2SD2257(CANO,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-2SD2257(CANO,A,Q)

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