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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK3462(TE16L1,NQ)
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2SK3462(TE16L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
2SK3462(TE16L1,NQ)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-2SK3462(TE16L1,NQ)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
2SK3462.pdf
vorrätig: 5150

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Spezifikation

2SK3462(TE16L1,NQ) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3462(TE16L1,NQ) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3462(TE16L1,NQ)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PW-MOLD  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 267 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK3462  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462(TE16L1,NQ).

Produkteigenschaften 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3455B-S17-AY 2SK3457-AZ 2SK3467-ZK
Artikelnummer 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3455B-S17-AY 2SK3457-AZ 2SK3467-ZK
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Renesas Renesas Electronics America Inc NEC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 500 V - -
Vgs (Max) ±20V ±30V - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA - -
Grundproduktnummer 2SK3462 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 1.5A, 10V 600mOhm @ 6A, 10V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V - -
Serie - - * -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse PW-MOLD ITO-220 (MP-45F) - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 12A (Tc) - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 267 pF @ 10 V 1800 pF @ 10 V - -
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) - -

2SK3462(TE16L1,NQ) Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK3462(TE16L1,NQ) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für 2SK3462(TE16L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN Andere
H440-4L-009P 30/Jan/2015.pdf
Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf 2SK3462.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 08/Nov/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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