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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN1310(TE85L,F)
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RN1310(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1310(TE85L,F)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1310(TE85L,F)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
RN1310(TE85L,F).pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 761950

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Anzahl

Spezifikation

RN1310(TE85L,F) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1310(TE85L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1310(TE85L,F)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-70  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 100 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer RN1310  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F).

Produkteigenschaften RN1310(TE85L,F) RN1307,LF RN1311,LF RN1307
Artikelnummer RN1310(TE85L,F) RN1307,LF RN1311,LF RN1307
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA -
Grundproduktnummer RN1310 RN1307 RN1311 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse SC-70 SC-70 SC-70 -
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA -
Leistung - max 100 mW 100 mW 100 mW -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 -
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 120 @ 1mA, 5V -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 500nA 100nA (ICBO) -

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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Toshiba Semiconductor and Storage
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