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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1404,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1404,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1404,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
RN1404,LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 726400

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Anzahl

Spezifikation

RN1404,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1404,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1404,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse S-Mini  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer RN1404  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1404,LF.

Produkteigenschaften RN1404,LF RN1404S,LF RN1406 RN1404S
Artikelnummer RN1404,LF RN1404S,LF RN1406 RN1404S
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA - -
Leistung - max 200 mW 200 mW - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms - -
Supplier Device-Gehäuse S-Mini S-Mini - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms 47 kOhms - -
Grundproduktnummer RN1404 RN1404 - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA - -

Lieferung

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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    +00852 9146 4856

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

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32D-RN1404,LF

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