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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN1408,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1408,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1408,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1408,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
RN1408,LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 241050

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Spezifikation

RN1408,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1408,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1408,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse S-Mini  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer RN1408  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1408,LF.

Produkteigenschaften RN1408,LF RN1408 RN1408LF RN1411 TE85R
Artikelnummer RN1408,LF RN1408 RN1408LF RN1411 TE85R
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Befestigungsart Surface Mount - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased - - -
Leistung - max 200 mW - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - - -
Supplier Device-Gehäuse S-Mini - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms - - -
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA - - -
Frequenz - Übergang 250 MHz - - -
Grundproduktnummer RN1408 - - -

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1408,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-RN1408,LF

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