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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RN1422TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1422TE85LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1422TE85LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
RN1422TE85LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 306430

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Spezifikation

RN1422TE85LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse S-Mini  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 65 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA  
Grundproduktnummer RN1422  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF.

Produkteigenschaften RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
Artikelnummer RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Rohm Semiconductor TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V - - -
Supplier Device-Gehäuse S-Mini - EMD2 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 65 @ 100mA, 1V - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA - - -
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms - - -
Serie - - - -
Leistung - max 200 mW - - -
Frequenz - Übergang 300 MHz - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - SC-79, SOD-523 -
Grundproduktnummer RN1422 - RN141 -

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Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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RN1422TE85LF

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