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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedRN1710,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1710,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1710,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1710,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
detaillierte Beschreibung
Verpackung
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Datenblatt
RN1710,LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95890

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Anzahl

Spezifikation

RN1710,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1710,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1710,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse USV  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 200mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer RN1710  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1710,LF.

Produkteigenschaften RN1710,LF RN1709 RN1710 RN1711LF
Artikelnummer RN1710,LF RN1709 RN1710 RN1711LF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms - - -
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - - -
Supplier Device-Gehäuse USV - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V - - -
Frequenz - Übergang 250MHz - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - - -
Leistung - max 200mW - - -
Grundproduktnummer RN1710 - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1710,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-RN1710,LF

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