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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedRN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1961FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1961FE(TE85L,F)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1961FE(TE85L,F)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
RN1961-66FE.pdf
vorrätig: 4090

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Spezifikation

RN1961FE(TE85L,F) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1961FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1961FE(TE85L,F)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse ES6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 100mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer RN1961  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE(TE85L,F).

Produkteigenschaften RN1961FE(TE85L,F) RN1911FE RN1911 RN1910AFS(TL3EKA)
Artikelnummer RN1961FE(TE85L,F) RN1911FE RN1911 RN1910AFS(TL3EKA)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TOHSBIA TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 250MHz - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - - -
Leistung - max 100mW - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA - - -
Grundproduktnummer RN1961 - - -
Supplier Device-Gehäuse ES6 - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -

RN1961FE(TE85L,F) Datenblatt PDF

Laden Sie RN1961FE(TE85L,F) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für RN1961FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf
Datenblätter
RN1961-66FE.pdf

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Versandkosten

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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