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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSM3J14TTE85LF
SSM3J14TTE85LF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SSM3J14TTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
SSM3J14TTE85LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-SSM3J14TTE85LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SSM3J14TTE85LF.pdf
vorrätig: 5090

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Spezifikation

SSM3J14TTE85LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J14TTE85LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J14TTE85LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSM  
Serie U-MOSII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Ta)  
Grundproduktnummer SSM3J14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF.

Produkteigenschaften SSM3J14TTE85LF SSM3J14T MOS SSM3J15F SSM3J15F(TE85L)
Artikelnummer SSM3J14TTE85LF SSM3J14T MOS SSM3J15F SSM3J15F(TE85L)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V - - -
Typ FET P-Channel - - -
Serie U-MOSII - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 413 pF @ 15 V - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Grundproduktnummer SSM3J14 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Supplier Device-Gehäuse TSM - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Ta) - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -

SSM3J14TTE85LF Datenblatt PDF

Laden Sie SSM3J14TTE85LF PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für SSM3J14TTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-SSM3J14TTE85LF

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