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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SSM3J46CTB(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
SSM3J46CTB(TPL3)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-SSM3J46CTB(TPL3)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, No Lead
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 99900

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Anzahl

Spezifikation

SSM3J46CTB(TPL3) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J46CTB(TPL3) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J46CTB(TPL3)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse CST3B  
Serie U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, No Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer SSM3J46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J46CTB(TPL3).

Produkteigenschaften SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J56ACT,L3F SSM3J56MFV L3F(T) SSM3J374R.LF(B)
Artikelnummer SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J56ACT,L3F SSM3J56MFV L3F(T) SSM3J374R.LF(B)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 1.4A (Ta) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C - -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.5A, 4.5V 390mOhm @ 800mA, 4.5V - -
Grundproduktnummer SSM3J46 SSM3J56 - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Supplier Device-Gehäuse CST3B CST3 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V 1.6 nC @ 4.5 V - -
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, No Lead SC-101, SOT-883 - -
Serie U-MOSVI U-MOSVI - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 10 V 100 pF @ 10 V - -
Verlustleistung (max) - 500mW (Ta) - -

SSM3J46CTB(TPL3) Datenblatt PDF

Laden Sie SSM3J46CTB(TPL3) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für SSM3J46CTB(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL Apr/2021.pdf Mult Dev EOL Rev Apr/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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