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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSM6J503NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
SSM6J503NU,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-SSM6J503NU,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
SSM6J503NU,LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 242570

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Anzahl

Spezifikation

SSM6J503NU,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J503NU,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J503NU,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-UDFNB (2x2)  
Serie U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)  
Grundproduktnummer SSM6J503  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF.

Produkteigenschaften SSM6J503NU,LF SSM6J505NU,LF SSM6J501NU,LF SSM6J502NU
Artikelnummer SSM6J503NU,LF SSM6J505NU,LF SSM6J501NU,LF SSM6J502NU
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 3A, 4.5V 12mOhm @ 4A, 4.5V 15.3mOhm @ 4A, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 10 V 37.6 nC @ 4.5 V 29.9 nC @ 4.5 V -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 20 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V 2700 pF @ 10 V 2600 pF @ 10 V -
Serie U-MOSVI U-MOSVI U-MOSVI -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer SSM6J503 SSM6J505 SSM6J501 -
Supplier Device-Gehäuse 6-UDFNB (2x2) 6-UDFNB (2x2) 6-UDFNB (2x2) -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1.25W (Ta) 1W (Ta) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta) 12A (Ta) 10A (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±8V ±6V ±8V -

SSM6J503NU,LF Datenblatt PDF

Laden Sie SSM6J503NU,LF PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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