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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSM6K202FE,LF
SSM6K202FE,LF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SSM6K202FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
SSM6K202FE,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-SSM6K202FE,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
RoHS Status
vorrätig: 262610

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Anzahl

Spezifikation

SSM6K202FE,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K202FE,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K202FE,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ES6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.5A, 4V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer SSM6K202  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF.

Produkteigenschaften SSM6K202FE,LF SSM6K202FE TE85L SSM6K211FE SSM6K217FE
Artikelnummer SSM6K202FE,LF SSM6K202FE TE85L SSM6K211FE SSM6K217FE
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Vgs (Max) ±12V - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Supplier Device-Gehäuse ES6 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.5A, 4V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V - - -
Typ FET N-Channel - - -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V - - -
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - - -
Grundproduktnummer SSM6K202 - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -

SSM6K202FE,LF Datenblatt PDF

Laden Sie SSM6K202FE,LF PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für SSM6K202FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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SSM6K202FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-SSM6K202FE,LF

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