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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6K217FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
SSM6K217FE,LF
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-SSM6K217FE,LF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
SSM6K217FE,LF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 309540

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Anzahl

Spezifikation

SSM6K217FE,LF Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ES6  
Serie U-MOSVII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 1A, 8V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.2 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta)  
Grundproduktnummer SSM6K217  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF.

Produkteigenschaften SSM6K217FE,LF SSM6K204FE SSM6K22FE(TE85L,F) SSM6K211FE(TE85L)
Artikelnummer SSM6K217FE,LF SSM6K204FE SSM6K22FE(TE85L,F) SSM6K211FE(TE85L)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 1A, 8V - - -
Typ FET N-Channel - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA - - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.2 V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta) - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
Serie U-MOSVII-H - - -
Grundproduktnummer SSM6K217 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V - - -
Supplier Device-Gehäuse ES6 - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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