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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTK100S04N1L,LQ
TK100S04N1L,LQ Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TK100S04N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TK100S04N1L,LQ
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TK100S04N1L,LQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TK100S04N1L,LQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28942

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Anzahl

Spezifikation

TK100S04N1L,LQ Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TK100S04N1L,LQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TK100S04N1L,LQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK+  
Serie U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5490 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer TK100S04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LQ.

Produkteigenschaften TK100S04N1L,LQ TK100L60WVQ(O) TK100G06N1 TK10202AM9G0B
Artikelnummer TK100S04N1L,LQ TK100L60WVQ(O) TK100G06N1 TK10202AM9G0B
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Murata Electronics
Verlustleistung (max) 100W (Tc) - - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK+ - - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Grundproduktnummer TK100S04 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V - - -
Typ FET N-Channel - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5490 pF @ 10 V - - -
Serie U-MOSVIII-H - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA - - -

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  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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TK100S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-TK100S04N1L,LQ

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