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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTK10A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
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TK10A80E,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TK10A80E,S4X
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TK10A80E,S4X
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TK10A80E,S4X.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31578

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Anzahl

Spezifikation

TK10A80E,S4X Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A80E,S4X Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A80E,S4X

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS  
Serie π-MOSVIII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer TK10A80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X.

Produkteigenschaften TK10A80E,S4X TK10A80ES4X TK10A60W,LS1PA2X TK10A60W.S4VX(M)
Artikelnummer TK10A80E,S4X TK10A80ES4X TK10A60W,LS1PA2X TK10A60W.S4VX(M)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V - - -
Grundproduktnummer TK10A80 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) - - -
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V - - -
Verlustleistung (max) 50W (Tc) - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
Paket Tube - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Serie π-MOSVIII - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Typ FET N-Channel - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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32D-TK10A80E,S4X

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