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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTK10J80E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TK10J80E,S1E - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TK10J80E,S1E
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TK10J80E,S1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
TK10J80E,S1E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24984

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Anzahl

Spezifikation

TK10J80E,S1E Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(N)  
Serie π-MOSVIII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer TK10J80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E.

Produkteigenschaften TK10J80E,S1E TK10J80E TK10P60W.RVQ(S) TK10P60WRVQ(S)
Artikelnummer TK10J80E,S1E TK10J80E TK10P60W.RVQ(S) TK10P60WRVQ(S)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Grundproduktnummer TK10J80 - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(N) - - -
Paket Tube - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V - - -
Verlustleistung (max) 250W (Tc) - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
Typ FET N-Channel - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V - - -
Serie π-MOSVIII - - -

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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Toshiba Semiconductor and Storage

TK10J80E,S1E

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