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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
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TK15A60U(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TK15A60U(STA4,Q,M)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TK15A60U(STA4,Q,M)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4710

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Spezifikation

TK15A60U(STA4,Q,M) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TK15A60U(STA4,Q,M) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TK15A60U(STA4,Q,M)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS  
Serie DTMOSII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta)  
Grundproduktnummer TK15A60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M).

Produkteigenschaften TK15A60U(STA4,Q,M) TK15A60U(STA4QM) TK15A60D TK15A65U
Artikelnummer TK15A60U(STA4,Q,M) TK15A60U(STA4QM) TK15A60D TK15A65U
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Befestigungsart Through Hole - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS - - -
Serie DTMOSII - - -
Paket Tube - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 40W (Tc) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V - - -
Typ FET N-Channel - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V - - -
Grundproduktnummer TK15A60 - - -

TK15A60U(STA4,Q,M) Datenblatt PDF

Laden Sie TK15A60U(STA4,Q,M) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für TK15A60U(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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