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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTK4P55DA(T6RSS-Q)
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TK4P55DA(T6RSS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TK4P55DA(T6RSS-Q)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TK4P55DA(T6RSS-Q).pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4690

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Anzahl

Spezifikation

TK4P55DA(T6RSS-Q) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TK4P55DA(T6RSS-Q) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TK4P55DA(T6RSS-Q)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie π-MOSVII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  
Grundproduktnummer TK4P55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q).

Produkteigenschaften TK4P55DA(T6RSS-Q) TK4P55D(T6RSS-Q) TK4P55DA TK4Q60DA,Q(O)
Artikelnummer TK4P55DA(T6RSS-Q) TK4P55D(T6RSS-Q) TK4P55DA TK4Q60DA,Q(O)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 550 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V - -
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 80W (Tc) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA 4.4V @ 1mA - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 4A (Ta) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Grundproduktnummer TK4P55 TK4P55 - -
Serie π-MOSVII π-MOSVII - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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TK4P55DA(T6RSS-Q)

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