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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTLP627(F)
TLP627(F) Image
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TLP627(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TLP627(F)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TLP627(F)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLTR 5KV DARLINGTON 4-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
TLP627(F).pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4960

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Anzahl

Spezifikation

TLP627(F) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TLP627(F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TLP627(F)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Ausgabe (max) 300V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V  
VCE Sätttigung (max) 1.2V  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 50µs, 15µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 40µs, 15µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Darlington  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 1000% @ 1mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal 150mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TLP627  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(F).

Produkteigenschaften TLP627(F) TLP626(F) TLP627(TP1,F) TLP624-4
Artikelnummer TLP627(F) TLP626(F) TLP627(TP1,F) TLP624-4
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V 1.15V 1.15V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount -
Spannung - Ausgabe (max) 300V 55V 300V -
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-SMD -
Anzahl der Kanäle 1 1 1 -
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 1000% @ 1mA 100% @ 1mA 1000% @ 1mA -
Grundproduktnummer TLP627 TLP626 TLP627 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -
VCE Sätttigung (max) 1.2V 400mV 1.2V -
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA -
Strom - Ausgang / Kanal 150mA 50mA 150mA -
Eingabetyp DC AC, DC DC -
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 40µs, 15µs 8µs, 8µs 40µs, 15µs -
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-SMD, Gull Wing -
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 50µs, 15µs 10µs, 8µs 50µs, 15µs -
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms -
Stromübertragungsverhältnis (max) - 1200% @ 1mA - -
Ausgabetyp Darlington Transistor Darlington -

TLP627(F) Datenblatt PDF

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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TLP627(F)

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-TLP627(F)

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