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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTPC6104(TE85L,F,M)
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TPC6104(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TPC6104(TE85L,F,M)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TPC6104(TE85L,F,M)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
vorrätig: 5160

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Spezifikation

TPC6104(TE85L,F,M) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6104(TE85L,F,M) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6104(TE85L,F,M)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VS-6 (2.9x2.8)  
Serie U-MOSIII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Ta)  
Grundproduktnummer TPC6104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104(TE85L,F,M).

Produkteigenschaften TPC6104(TE85L,F,M) TPC6103(TE85L,F,M) TPC6104(TE85LF) TPC6107
Artikelnummer TPC6104(TE85L,F,M) TPC6103(TE85L,F,M) TPC6104(TE85LF) TPC6107
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TOS TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V - - -
Supplier Device-Gehäuse VS-6 (2.9x2.8) - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 10 V - - -
Grundproduktnummer TPC6104 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Ta) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Vgs (Max) ±8V - - -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) - - -
Typ FET P-Channel - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Serie U-MOSIII - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA - - -

TPC6104(TE85L,F,M) Datenblatt PDF

Laden Sie TPC6104(TE85L,F,M) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für TPC6104(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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