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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTPC6111(TE85L,F,M)
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TPC6111(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TPC6111(TE85L,F,M)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TPC6111(TE85L,F,M)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
Mosfets Prod Guide.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

TPC6111(TE85L,F,M) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6111(TE85L,F,M) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6111(TE85L,F,M)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VS-6 (2.9x2.8)  
Serie U-MOSV  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Ta)  
Grundproduktnummer TPC6111  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111(TE85L,F,M).

Produkteigenschaften TPC6111(TE85L,F,M) TPC6110(TE85L,F,M) TPC6111(TE85LFM) TPC6111LF
Artikelnummer TPC6111(TE85L,F,M) TPC6110(TE85L,F,M) TPC6111(TE85LFM) TPC6111LF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer TPC6111 TPC6110 - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V - -
Supplier Device-Gehäuse VS-6 (2.9x2.8) VS-6 (2.9x2.8) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie U-MOSV U-MOSVI - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - -
Vgs (Max) ±8V - - -
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2V @ 100µA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V 510 pF @ 10 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.8A, 4.5V 56mOhm @ 2.2A, 10V - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Ta) 4.5A (Ta) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V - -

TPC6111(TE85L,F,M) Datenblatt PDF

Laden Sie TPC6111(TE85L,F,M) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für TPC6111(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Datenblätter
Mosfets Prod Guide.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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