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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN1110ENH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TPN1110ENH,L1Q
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TPN1110ENH,L1Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
TPN1110ENH,L1Q.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 60230

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Spezifikation

TPN1110ENH,L1Q Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Serie U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta)  
Grundproduktnummer TPN1110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q.

Produkteigenschaften TPN1110ENH,L1Q TPN2R703NL,L1Q TPN2R203NC,L1Q TPN2R003NC,L1APQ
Artikelnummer TPN1110ENH,L1Q TPN2R703NL,L1Q TPN2R203NC,L1Q TPN2R003NC,L1APQ
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA 2.3V @ 300µA 2.3V @ 500µA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 30 V 30 V -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer TPN1110 TPN2R703 TPN2R203 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V 2.7mOhm @ 22.5A, 10V 2.2mOhm @ 22.5A, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta) 45A (Tc) 45A (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V -
Serie U-MOSVIII-H U-MOSVIII-H U-MOSVIII -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 100 V 2100 pF @ 15 V 2230 pF @ 15 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Verlustleistung (max) 700mW (Ta), 39W (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) -

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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