Spezifikation
TPN4R303NL,L1Q Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.3V @ 200µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
8-TSON Advance (3.1x3.1) |
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| Serie |
U-MOSVIII-H |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.3mOhm @ 20A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
700mW (Ta), 34W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
8-PowerVDFN |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1400 pF @ 15 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
14.8 nC @ 10 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
40A (Tc) |
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| Grundproduktnummer |
TPN4R303 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
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TPN302STMicroelectronics
TPN3021RLSTMicroelectronicsTHYRISTOR 28V 100A 8SOIC