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10CTQ150 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
10CTQ150
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-10CTQ150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
10CTQ150.pdf
vorrätig: 4450

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Anzahl

Spezifikation

10CTQ150 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10CTQ150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10CTQ150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 5 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50 µA @ 150 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 5A  
Grundproduktnummer 10CTQ  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10CTQ150.

Produkteigenschaften 10CTQ150 10CTQ150S 10CTQ150STR 10CTQ150
Artikelnummer 10CTQ150 10CTQ150S 10CTQ150STR 10CTQ150
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions SMC Diode Solutions
Paket Tube Tube - Tube
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 5A 5A 5A 5A
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-263AB (D²PAK) D2PAK TO-220AB
Grundproduktnummer 10CTQ 10CTQ - 10CTQ
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 5 A 930 mV @ 5 A 930mV @ 5A 930 mV @ 5 A
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Technologie Schottky Schottky - Schottky
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50 µA @ 150 V 50 µA @ 150 V 50µA @ 150V 50 µA @ 150 V
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V 150 V 150V 150 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

10CTQ150 Datenblatt PDF

Laden Sie 10CTQ150 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 10CTQ150 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
10CTQ150.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-10CTQ150

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