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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-Einzel10ETF12
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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10ETF12 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
10ETF12
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-10ETF12
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
10ETF Series.pdf
vorrätig: 4640

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Anzahl

Spezifikation

10ETF12 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETF12 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETF12

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.33 V @ 10 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 310 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 1200 V  
Strom - Richt (Io) 10A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer 10ETF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETF12.

Produkteigenschaften 10ETF12 10ETS08 10ETF06 10ETF04FP
Artikelnummer 10ETF12 10ETS08 10ETF06 10ETF04FP
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC Full Pack
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.33 V @ 10 A 1.1 V @ 10 A 1.2 V @ 10 A 1.2 V @ 10 A
Grundproduktnummer 10ETF12 10ETS08 10ETF06 10ETF04
Kapazität @ Vr, F - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 Full Pack
Strom - Richt (Io) 10A 10A 10A 10A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie Standard Standard Standard Standard
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 1200 V 50 µA @ 800 V 100 µA @ 600 V 100 µA @ 400 V
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V 800 V 600 V 400 V
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 310 ns - 145 ns 145 ns

10ETF12 Datenblatt PDF

Laden Sie 10ETF12 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 10ETF12 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
10ETF Series.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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