Spezifikation
113MT80KB Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 113MT80KB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 113MT80KB
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
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| Spannung - Aus-Zustand |
800 V |
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| Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) |
2.5 V |
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| Struktur |
Bridge, 3-Phase - All SCRs |
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| Serie |
- |
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| Verpackung / Gehäuse |
MTK |
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| Paket |
Bulk |
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| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Anzahl der Thyristoren, Dioden |
6 SCRs |
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| Befestigungsart |
Chassis Mount |
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| Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) |
110 A |
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| Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) |
1130A, 1180A |
|
| Strom - Haltestrom (Ih) (Max) |
200 mA |
|
| Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) |
150 mA |
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| Grundproduktnummer |
113MT80 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
113MT140KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.4KV 110A MTK
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