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12TTS08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
12TTS08
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-12TTS08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SCR 800V 12.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
12TTS08.pdf
vorrätig: 3640

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Anzahl

Spezifikation

12TTS08 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 12TTS08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 12TTS08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max) 1.2 V  
Spannung - Aus-Zustand 800 V  
Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) 1 V  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
SCR-Typ Standard Recovery  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) 12.5 A  
Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) 8 A  
Aktuelle - Aus-Zustand (Max) 50 µA  
Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) 140A @ 50Hz  
Strom - Haltestrom (Ih) (Max) 30 mA  
Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) 15 mA  
Grundproduktnummer 12TTS08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12TTS08.

Produkteigenschaften 12TTS08 12TTS08S 12TQ040SPBF 12TQ045SPBF
Artikelnummer 12TTS08 12TTS08S 12TQ040SPBF 12TQ045SPBF
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division IR IR
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-263AB (D²PAK) - -
Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) 1 V 1 V - -
Grundproduktnummer 12TTS08 12TTS08 - -
SCR-Typ Standard Recovery Standard Recovery - -
Strom - Haltestrom (Ih) (Max) 30 mA 30 mA - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) 12.5 A 12.5 A - -
Paket Tube Bulk - -
Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) 140A @ 50Hz 140A @ 50Hz - -
Serie - - - -
Spannung - Aus-Zustand 800 V 800 V - -
Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) 15 mA 15 mA - -
Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max) 1.2 V 1.2 V - -
Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) 8 A 8 A - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount - -
Aktuelle - Aus-Zustand (Max) 50 µA 500 µA - -

12TTS08 Datenblatt PDF

Laden Sie 12TTS08 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 12TTS08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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12TTS08

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-12TTS08

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