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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-zenerdioden-Einzel1N4739A-TAP
1N4739A-TAP Image
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1N4739A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
1N4739A-TAP
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-1N4739A-TAP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-204AL, DO-41, Axial
Datenblatt
1N4728A thru 1N4764A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 441700

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Anzahl

Spezifikation

1N4739A-TAP Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4739A-TAP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4739A-TAP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA  
Toleranz ±5%  
Supplier Device-Gehäuse DO-204AL (DO-41)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 1.3 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-204AL, DO-41, Axial  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Impedanz (Max) (Zzt) 5 Ohms  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 7 V  
Grundproduktnummer 1N4739  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4739A-TAP.

Produkteigenschaften 1N4739A-TAP 1N4740A 1N4739A 1N4739A
Artikelnummer 1N4739A-TAP 1N4740A 1N4739A 1N4739A
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMC Diode Solutions onsemi Microchip Technology
Toleranz ±5% ±5% ±5% ±5%
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 150°C
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer 1N4739 - 1N4739 -
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Supplier Device-Gehäuse DO-204AL (DO-41) DO-41 DO-41 DO-41
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 9.1 V 10 V 9.1 V 9.1 V
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 7 V 10 µA @ 7.6 V 10 µA @ 7 V 10 µA @ 7 V
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk Bulk
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA - 1.2 V @ 200 mA
Verpackung / Gehäuse DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO-41, Axial DO-204AL, DO041, Axial
Impedanz (Max) (Zzt) 5 Ohms 7 Ohms 5 Ohms 5 Ohms
Leistung - max 1.3 W 1 W 1 W 1 W

1N4739A-TAP Datenblatt PDF

Laden Sie 1N4739A-TAP PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 1N4739A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 12/Nov/2021.pdf
Datenblätter
1N4728A thru 1N4764A.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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1N4739A-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-1N4739A-TAP

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